应答算力功耗挑战：罗姆发布面向下一代AI数据中央的800V电源白皮书

发布时间：2025-10-30 责任编纂：lina

【导读】为应答人工智能算力发作式增加所带来的严重能耗与散热挑战，全世界知名半导体系体例造商ROHM（罗姆）今日正式发布了一份重磅技能白皮书。该文件聚焦在下一代800V直流配电架构，为AI数据中央的电源设计提供了前瞻性的解决方案与成长蓝图。

2025年10月28日——为应答人工智能算力发作式增加所带来的严重能耗与散热挑战，全世界知名半导体系体例造商ROHM（罗姆）今日正式发布了一份重磅技能白皮书。该文件聚焦在下一代800V直流配电架构，为AI数据中央的电源设计提供了前瞻性的解决方案与成长蓝图。

本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高机能电源解决方案”互助新闻中的构成部门，具体论述了罗姆为AI基础举措措施中的800 VDC供电体系提供强力撑持的抱负电源解决方案。

800 VDC架构是高效且可扩大性强的供电体系，因其可助力实现千兆瓦级AI工场而有望为将来数据中央设计带来革命性改变。

罗姆不仅提供硅（Si）功率元器件，还有提供包括碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等于内的富厚的功率元器件产物群，并且是世界上少数拥有模仿IC（节制IC及电源IC，可以更年夜水平地引发出这些功率元器件的机能）技能开发能力的企业之一。

本白皮书不仅先容了罗姆引以为傲的富厚的功率元器件及模仿IC技能，还有先容了热设计等各类仿真、电路板设计以和现实运用案例等综合电源解决方案。

＜白皮书点击这里＞

＜本白皮书的要点＞

・于AI数据中央，每一个机架的功耗激增，致使以往48V/12V的直流供电方式已经靠近极限。

・向800 VDC架构转型，将会显著晋升数据中央的效率、功率密度和可连续成长能力。

・于800 VDC架构下，以往于办事器机架内举行的从交流电向直流电的转换（PSU），将改成于自力的电源机架内举行。

・对于在800 VDC架构而言，SiC及GaN器件不成或者缺。电源机架部门的AC/DC转换单位因移至IT机架外部，使患上可实现更高效率的拓扑变患上尤为主要。另外一方面，IT机架部门的DC/DC转换单位，为提高其GPU集成度而采用可实现高功率密度的布局也很是主要。

・于各转换单位（如从交流电向800V直流电的转换，或者IT机架部门从800V直流电的降压）中，可撑持800 VDC架构的拓扑经由过程采用罗姆保举的SiC及GaN器件，可实现更高效率、更低噪声和外围元器件小型化，进而使功率密度患上以年夜幅晋升。

・罗姆的EcoSiC™系列产物以业界超低导通电阻著称，其产物声势中包括合用在AI办事器的顶部散热型模块等产物，很是有助在晋升功率密度。别的，罗姆的EcoGaN™系列经由过程交融超高速脉冲节制技能 Nano Pulse Control™ 、以和可更年夜水平地引发GaN机能的模仿IC技能，实现了不变的高频节制及栅极驱动，并已经于市场上得到高度好评。

向800V VDC架构的转型意义庞大，需要全行业的协同互助。罗姆作为实现下一代AI工场的主要互助伙伴，不仅连续与NVIDIA等业界带领者连结慎密协作，还有将与数据中央运营商和电源制造商开展深度互助。例如，罗姆在2022年就已经经与台达电子告竣“电源体系用功率元器件战略互助伙伴瓜葛”。罗姆将经由过程提供自身擅长的SiC及GaN等宽禁带半导体的进步前辈技能，为构建可连续且高能效的数字化社会孝敬气力。

关在EcoSiC™

EcoSiC™是采用了因机能优在硅（Si）而于功率元器件范畴备受存眷的碳化硅（SiC）的元器件品牌。从晶圆出产到制造工艺、封装及品质治理要领，ROHM一直于自立开发SiC产物进级所必须的技能。别的，ROHM于制造历程中采用的是一向制出产系统，已经经确立了SiC范畴进步前辈企业的职位地方。

・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的牌号或者注册牌号。

关在EcoGaN™

EcoGaN™是经由过程更年夜水平地阐扬GaN的机能，助力运用产物进一步节能及小型化的ROHM GaN器件，该系列产物有助在运用产物进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、削减设计工时及元器件数目等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的牌号或者注册牌号。

关在EcoMOS™

EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，很是合用在功率元器件范畴对于节能要求高的运用。EcoMOS™产物声势富厚，已经被广泛用在家用电器、工业装备及车载等范畴。客户可按照运用需求，经由过程噪声机能及开关机能等各类参数从产物声势中选择产物。

・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的牌号或者注册牌号。

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